Личный кабинет
4 записи
Статья
Булгаков О. М., Петров Б. К.
Методика расчета индуктивностей входной согласующей чепи мощного ВЧ (СВЧ) LDMOS-транзистора / Булгаков О. М., Петров Б. К. // Телекоммуникации. - 2006. - № 5. -С. 43-46 .
Методика расчета индуктивностей входной согласующей чепи мощного ВЧ (СВЧ) LDMOS-транзистора / Булгаков О. М., Петров Б. К. // Телекоммуникации. - 2006. - № 5. -
Ковалев А. Н.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / Ковалев А. Н. ; Министерство образования и науки РФ, Национальный исслед. технол. ун-т "МИСиС". - М. : Издат. Дом МИСиС, 2011. - 363 с. : ил. - Библиогр.:с. 353-363 . - ISBN 978-5-87623-489-6 .
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / Ковалев А. Н. ; Министерство образования и науки РФ, Национальный исслед. технол. ун-т "МИСиС". - М. : Издат. Дом МИСиС, 2011. - 363 с. : ил. - Библиогр.:
Читать онлайн
1 экз.
Макарчук В. В.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.в конце брош.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.
12 экз.
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, ТV-приемников и мониторов : справочник / сост. Авраменко Ю. Ф. - М. : Додэка-ХХI ; Киев : МК-Пресс, 2006. - 538 с. - (Элементарная база). - ISBN 5-94120-126-5 . - ISBN 966-8806-17-4 .
1 экз.
