Хабибуллин Рустам Анварович

Тип публикации Авторы Заглавие Издание, год, номер, страницы
Статья в журнале Соболев А. С.
Павлов А. Ю.
Майтама Максим Викторович МГТУ
Глинский И. А.
Пономарев Д. С.
Спирин К. Е.
Жмудь Б. А.
Хабибуллин Рустам Анварович МГТУ
Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов Письма в журнал технической физики
2023 .- Т. 49 , № 2 .- С. 14 - 16
Статья в журнале Ponomarev D. S.
Lavrukhin D. V. МГТУ
Glinskiy I. A. МГТУ
Yachmenev A. E. МГТУ
Zenchenko N. V. МГТУ
Khabibullin R. A. МГТУ
Goncharov Y. G.
Taiichi Otsuji
Zaytsev K. I. МГТУ
Enhanced THz radiation through a thick plasmonic electrode grating photoconductive antenna with tight photocarrier confinement Optics Letters
2023 .- Vol. 48 , Issue 5 .- С. 1220 - 1223
Статья в журнале Sobolev A. S.
Pavlov A. Yu.
Maytama M. V. МГТУ
Glinskiy I. A.
Ponomarev D. S. МГТУ
Spirin K. E.
Zhmud B. A.
Khabibullin R. A. МГТУ
Active coplanar transmission line based on double-barrier gaas/alas resonant tunneling diodes Technical Physics Letters
2023 .- Vol. 49 , Issue 1 .- С. 55
Статья в журнале Пономарев Дмитрий Сергеевич МГТУ
Лаврухин Денис Владимирович МГТУ
Зенченко Николай Владимирович МГТУ
Глинский Игорь Андреевич МГТУ
Хабибуллин Рустам Анварович МГТУ
Курлов Владимир Николаевич МГТУ
Зайцев Кирилл Игоревич МГТУ
Локализация энергии лазерного излучения в оптико-терагерцевом преобразователе ультракоротких ик-импульсов при помощи профилированных сапфировых волокон Письма в журнал технической физики
2022 .- Т. 48 , № 23 .- С. 11 - 13
Статья в журнале Ponomarev D. S.
Lavrukhin D. V. МГТУ
Zenchenko N. V.
Frolov T. V.
Glinskiy I. A.
Khabibullin R. A. МГТУ
Katyba G. M. МГТУ
Kurlov V. N. МГТУ
Otsuji T.
Zaytsev K. I. МГТУ
Boosting photoconductive large-area THz emitter via optical light confinement behind a highly refractive sapphire-fiber lens Optics Letters
2022 .- Vol. 47 , Issue 7 .- С. 1899 - 1902
Статья в журнале Yachmenev A. E.
Khabibullin R. A. МГТУ
Ponomarev D. S.
Recent advances in THz detectors based on semiconductor structures with quantum confinement: A review Journal of Physics D: Applied Physics
2022 .- Vol. 55 , Issue 19 .- Art.no 193001
Материал конференции Yachmenev A. E. МГТУ
Khabibullin R. A. МГТУ
Ponomarev D. S.
Recent advances in THz detectors based on semiconductor structures with quantum confinement: A review Journal of Physics D: Applied Physics
2022 .- Vol. 55 , Issue 19 .- Art.no 193001
Статья в журнале Ilyakov I. E.
Shishkin B. V.
Malevich V. L.
Ponomarev D. S.
Galiev R. R.
Pavlov A. Yu.
Yachmenev A. E. МГТУ
Kovalev S. P.
Chen M.
Akhmedzhanov R. A.
Khabibullin R. A. МГТУ
Efficient optical-to-terahertz conversion in large-area InGaAs photo-Dember emitters with increased indium content Optics Letters
2021 .- Vol. 46 , Issue 14 .- С. 3360 - 3363
Материал конференции Lavrukhin D. V. МГТУ
Glinskiy I. A.
Zenchenko N. V.
Khabibullin R. A. МГТУ
Arsenin A. V.
Yakubovsky D. I.
Volkov V. S.
Minin I. V.
Minin O. V.
Zaytsev K. I. МГТУ
Ponomarev D. S.
Optical light confinement in terahertz antennas AIP Conference Proceedings
2021 .- Vol. 2359 .- Art.no 020026
Статья в журнале Lavrukhin D. V. МГТУ
Yachmenev A. E. МГТУ
Goncharov Y. G.
Zaytsev K. I. МГТУ
Khabibullin R. A. МГТУ
Buryakov A. M.
Mishina E. D.
Ponomarev D. S.
Strain-Induced InGaAs-Based Photoconductive Terahertz Antenna Detector IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
2021 .- Vol. 11 , Issue 4 .- С. 417 - 424 .- Art.no 9430692
Статья в журнале Yachmenev A. E. МГТУ
Lavrukhin D. V. МГТУ
Glinskiy I. A.
Zenchenko N. V.
Goncharov Y. G.
Spektor I. E. МГТУ
Khabibullin R. A. МГТУ
Otsuji T.
Ponomarev D. S.
Metallic and dielectric metasurfaces in photoconductive terahertz devices: A review Отк Optical Engineering
2021 .- Vol. 59 , Issue 6 .- Art.no 061608
Статья в журнале Lavrukhin D. V. МГТУ
Yachmenev A. E. МГТУ
Glinskiy I. A.
Zenchenko N. V. МГТУ
Khabibullin R. A. МГТУ
Goncharov Yu. G.
Spektor I. E.
Zaytsev K. I. МГТУ
Ponomarev D. S.
Emission Efficiency of Terahertz Antennas with Conventional Topology and Metal Metasurface: A Comparative Analysis Optics and Spectroscopy
2020 .- Vol. 128 , Issue 7 .- С. 1018 - 1025
Статья в журнале Галиев Р. Р.
Ячменев Александр Эдуардович МГТУ
Бугаев Александр Степанович МГТУ
Галиев Г. Б.
Федоров Юрий Викторович
Климов Е. А.
Хабибуллин Рустам Анварович МГТУ
Пономарев Дмитрий Сергеевич МГТУ
Мальцев П. П.
Перспективные материалы электронно-компонентной базы для создания детекторов и генераторов ТГц-диапазона частот (0, 5-5. 0 ТГц) Известия Российской академии наук. Серия физическая
2016 .- Т. 80 , № 4 .- С. 522 - 524
Статья в журнале Хабибуллин Рустам Анварович МГТУ
Ячменев Александр Эдуардович МГТУ
Лаврухин Денис Владимирович МГТУ
Пономарев Дмитрий Сергеевич МГТУ
Бугаев Александр Степанович МГТУ
Мальцев П. П.
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GAAS Физика и техника полупроводников
2016 .- Т. 50 , № 2 .- С. 185 - 190
Статья в журнале Galiev R. R.
Yachmenev A. E. МГТУ
Bugaev A. S. МГТУ
Galiev G. B.
Fedorov Yu. V.
Klimov E. A.
Khabibullin R. A. МГТУ
Ponomarev D. S. МГТУ
Maltsev P. P.
Promising materials for an electronic component base used to create terahertz frequency range (0.5–5.0 THz) generators and detectors Bulletin of the Russian Academy of Sciences:Physics
2016 .- Vol. 80 , Issue 4 .- С. 476 - 478
Статья в журнале Лаврухин Денис Владимирович МГТУ
Ячменев Александр Эдуардович МГТУ
Бугаев Александр Степанович МГТУ
Галиев Г. Б.
Климов Е. А.
Хабибуллин Рустам Анварович МГТУ
Пономарев Дмитрий Сергеевич МГТУ
Мальцев П. П.
Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si Физика и техника полупроводников
2015 .- Т. 49 , № 7 .- С. 932 - 935
Статья в журнале Lavrukhin D. V. МГТУ
Yachmenev A. E. МГТУ
Bugaev A. S. МГТУ
Galiev G. B.
Klimov E. A.
Khabibullin R. A. МГТУ
Ponomarev D. S. МГТУ
Maltsev P. P.
Investigation of the optical properties of GaAs with δ-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures Semiconductors
2015 .- Vol. 49 , Issue 7 .- С. 911 - 914