Личный кабинет
228 записей
Статья
Митрохин В. Н.
О поведении электромагнитного поля направляемых волн неоднородных волноводов в окрестности критического сечения / Митрохин В. Н. // Радиоэлектронные устройства : сборник статей / ред. Вамберский М. В. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1983. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 397). -С. 20-28 .
О поведении электромагнитного поля направляемых волн неоднородных волноводов в окрестности критического сечения / Митрохин В. Н. // Радиоэлектронные устройства : сборник статей / ред. Вамберский М. В. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1983. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 397). -
Статья
Моделирование процесса селективного лазерного плавления алюминиевого сплава в программном обеспечении COMSOL Multiphysics / Григоров М. Р., Бинков И. И., Денежкин А. О., Колесов П. В. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов (с международным участием), 16-я, Москва, 19-22 сентября 2023 года : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2024. - Т. 1. - С. 303-310 .
Морган Дж.
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК-пресс, 2007. - 759 с. : ил. - Библиогр.:с. 750 и в конце гл. - ISBN 5-9706-0020-2 .
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК-пресс, 2007. - 759 с. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Морган Дж.
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК, 2013. - 623 с. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94074-881-6 .
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК, 2013. - 623 с. - Библиогр.
1 экз.
Морган Дж.
Ламповые усилители / Морган Дж. ; пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - 2-е изд., перераб. - М. : ДМК Пресс, 2016. - 623 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-97060-366-6 .
Ламповые усилители / Морган Дж. ; пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - 2-е изд., перераб. - М. : ДМК Пресс, 2016. - 623 с. : ил. - Библиогр.
2 экз.
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:л. 123-134 .
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
2 экз.
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:с. 16 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:
2 экз.
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 129 л. : ил. - Библиогр.:л. 122-129 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 129 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Статья
Мощный лазер на парах стронция на... =6, 456 мм для медицины / Солдатов А. Н., Полунин Ю. П., Ермолаев А. П., Филонов А. Г., Шумейко А. С., Чаусова Л. Н. // Медико-технические технологии на страже здоровья ("МЕДТЕХ-2003") : сборник докладов 5-ой нучно-техн. конф., Шарм Эль Шейх, 4-11 октября 2003 г. / МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2003. - С. 104 .
