Личный кабинет
535 записей
Статья
Мустафаев А. Г.
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -С. 11-14 .
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -
Статья
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -С. 44-46 .
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -
Статья
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -С. 17-22 .
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -
Статья
Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г.
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -С. 30-32 .
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -
Статья
Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -С. 8-12 .
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -
Мухин Ю. А.
Приборы и устройства полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие по курсу "Оптоэлектроника" / Мухин Ю. А. ; ред. Бодров В. Н., Обидин Г. И. ; Московский энергетический институт (технический университет). - М. : Изд-во МЭИ, 1996. - 297 с. : ил. - Библиогр.:с. 297 .
Приборы и устройства полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие по курсу "Оптоэлектроника" / Мухин Ю. А. ; ред. Бодров В. Н., Обидин Г. И. ; Московский энергетический институт (технический университет). - М. : Изд-во МЭИ, 1996. - 297 с. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Статья
Мухуров Н. И., Ефремов Г. И., Жвавый С. П.
Анализ электромеханических параметров электростатических микрореле с автономными держателями / Мухуров Н. И., Ефремов Г. И., Жвавый С. П. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 6. -С. 28-32 .
Анализ электромеханических параметров электростатических микрореле с автономными держателями / Мухуров Н. И., Ефремов Г. И., Жвавый С. П. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 6. -
Статья
Мухуров Н. И., Ефремов Г. И.
Электростатические микрореле с массивным якорем / Мухуров Н. И., Ефремов Г. И. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. -С. 57-60 .
Электростатические микрореле с массивным якорем / Мухуров Н. И., Ефремов Г. И. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. -
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике / РАН, Ин-т СВЧ полупроводниковой электроники. - М. : Техносфера, 2010. - 430 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-94836-255-7 .
2 экз.
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / РАН. СО. Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Асеев А. Л. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2004. - 367 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-7692-0680-2 .
5 экз.
