Личный кабинет
1689 записей
Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А.
Основы наноэлектроники : учеб. пособие для вузов / Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. - М. : Логос, 2006. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-98704-054-X .
Основы наноэлектроники : учеб. пособие для вузов / Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. - М. : Логос, 2006. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр.
4 экз.
Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А.
Основы наноэлектроники : учеб. пособие для вузов / Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. - М. : Логос, 2011. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 5-98704-054-X .
Основы наноэлектроники : учеб. пособие для вузов / Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. - М. : Логос, 2011. - 494 с. : ил. - (Новая университетская библиотека). - Библиогр.
5 экз.
Статья
Драч В. Е.
Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора / Драч В. Е. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2017. - № 1. -С. 4-15 .
Анализ сдвига проходных характеристик МДП-транзистора / Драч В. Е. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2017. - № 1. -
Статья
Драч В. Е., Родионов А. В.
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -С. 79-84 .
Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -
Статья
Драч В. Е., Родионов А. В.
Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -С. 85-92 .
Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств / Драч В. Е., Родионов А. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2014. - Т. 19, № 10. -
Статья
Драч В. Е., Родионов А. В., Чухраев И. В.
Аппаратная реализация метода накачки заряда / Драч В. Е., Родионов А. В., Чухраев И. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2016. - Т. 21, № 7. -С. 72-75 .
Аппаратная реализация метода накачки заряда / Драч В. Е., Родионов А. В., Чухраев И. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2016. - Т. 21, № 7. -
Дрейзин В. Э., Кочура А. В.
Управление качеством электронных средств : учеб. пособие для вузов / Дрейзин В. Э., Кочура А. В. - М. : Академия, 2010. - 284 с. - (Высшее профессиональное образование. Радиоэлектроника). - Библиогр.:с. 280-281 . - ISBN 978-5-7695-5740-8 .
Управление качеством электронных средств : учеб. пособие для вузов / Дрейзин В. Э., Кочура А. В. - М. : Академия, 2010. - 284 с. - (Высшее профессиональное образование. Радиоэлектроника). - Библиогр.:
1 экз.
Статья
Дробышев Г. Ф.
Исследование одностабильных схем с одним туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / ред. Доброгурский С. О. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1964. -С. 58-67 .
Исследование одностабильных схем с одним туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / ред. Доброгурский С. О. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1964. -
Статья
Дробышев Г. Ф.
Моделирование переходных процессов в системах с туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / ред. Доброгурский С. О. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1964. -С. 53-57 .
Моделирование переходных процессов в системах с туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / ред. Доброгурский С. О. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1964. -
Дубровский В. Г.
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский В. Г. - М. : Физматлит, 2009. - 350 с. : ил. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.:с. 338-350 . - ISBN 978-5-9221-1069-3 .
Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / Дубровский В. Г. - М. : Физматлит, 2009. - 350 с. : ил. - (Фундаментальная и прикладная физика). - Библиогр.:
5 экз.
