Расширенный поиск

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 3(41). - 1968. - 145 с. : ил. - Библиогр. в конце статей.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 4(195). - 1988. - 97 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 4(207). - 1990. - 107 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический журнал. - М. : НПП"Пульсар", 2015. - ISSN 2073-8250.
   Вып. 4(238). - 2015. - 70 с. : рис. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 4(42). - 1968. - 132 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 5(208). - 1990. - 95 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический журнал. - М. : НПП"Пульсар", 2015. - ISSN 2073-8250.
   Вып. 5(239). - 2015. - 80 с. : рис. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 5(48). - 1968. - 131 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

   Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы : науч.-техн. сб. - М. : Изд-во ЦНИИ техн.-экон. исслед. и науч. информ., 1966.
   Вып. 6(209). - 1990. - 80 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

   Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GAAS / Хабибуллин Р. А., Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Пономарев Д. С., Бугаев А. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 2. - С. 185-190.