1347 записей
Статья
Моделирование процесса селективного лазерного плавления алюминиевого сплава в программном обеспечении COMSOL Multiphysics / Григоров М. Р., Бинков И. И., Денежкин А. О., Колесов П. В. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов (с международным участием), 16-я, Москва, 19-22 сентября 2023 года : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2024. - Т. 1. - С. 303-310 .
Статья
Моделирование распределения температур в системе охлаждения активной среды твердотельного лазера для различных конфигураций теплоотвода / Томилов С. М., Тарабрин М. К., Лазарев В. А., Карасик В. Е. // Лазеры в науке, технике, медицине : Междунар. конф. XXVIII, Дубна, 27 Июня-1 Июля 2017 г. / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Моск. научно-техн. о-во радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова, Рос. онкологический научный центр им. Н. Н. Блохина. - 2017. - Т. 28 : Сборник научных трудов по материалам докладов конф. - С. 66-69 .
Морган Дж.
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК-пресс, 2007. - 759 с. : ил. - Библиогр.:с. 750 и в конце гл. - ISBN 5-9706-0020-2 .
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК-пресс, 2007. - 759 с. : ил. - Библиогр.:
Морган Дж.
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК, 2013. - 623 с. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94074-881-6 .
Ламповые усилители / Морган Дж. ; ред. пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - М. : ДМК, 2013. - 623 с. - Библиогр.
Морган Дж.
Ламповые усилители / Морган Дж. ; пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - 2-е изд., перераб. - М. : ДМК Пресс, 2016. - 623 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-97060-366-6 .
Ламповые усилители / Морган Дж. ; пер. с англ. Иванюшкин Р. Ю. - 2-е изд., перераб. - М. : ДМК Пресс, 2016. - 623 с. : ил. - Библиогр.
Статья
Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.
Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. -С. 183-191 .
Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах / Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. -
Статья
Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л.
Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. -С. 174-182 .
Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти / Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л. // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. -
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:л. 123-134 .
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:с. 16 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.: