Личный кабинет
2 записи
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:л. 123-134 .
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
2 экз.
