Личный кабинет
4 записи
Диссертация
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:л.123-134 .
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:
Читать онлайн
1 экз.
Автореферат диссертации
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2022. - 16 с.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2022. - 16 с.
2 экз.
Автореферат диссертации
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:с.16 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:
2 экз.
Диссертация
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 129 л. : ил. - Библиогр.:л.122-129 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - Москва, 2025. - 129 л. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
