Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур / Байбурин В. Б., Кузнецов В. А., Чернышев С. Л., Шмаков С. Л. // Радиотехника. - 2018. - № 9. - С. 87-92.
Используя сайт Библиотеки МГТУ им. Н. Э. Баумана,
Вы соглашаетесь с использованием файлов cookie и сервисов сбора и анализа статистики посещений
для обеспечения работоспособности сайта и улучшения качества обслуживания.
Подробнее о файлах cookie.