5 записей
Медведев В. И., Белов А. А.
Параметрические и автоколебательные системы / Медведев В. И., Белов А. А. ; МГУ. Физ. фак. - М. : МГУ, 1990. - 119 с.
Параметрические и автоколебательные системы / Медведев В. И., Белов А. А. ; МГУ. Физ. фак. - М. : МГУ, 1990. - 119 с.
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:л. 123-134 .
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:с. 16 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 16 с. : ил. - Библиогр.:
Москалева Д. А.
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 129 л. : ил. - Библиогр.:л. 122-129 .
Исследование и разработка технологий сверхпроводниковых широкополосных параметрических усилителей с низкими пульсациями профиля усиления : 2. 2. 3-Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалева Д. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2025. - 129 л. : ил. - Библиогр.: