Подробное описание документа

Макарчук В. В.
   Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр. в конце брош.

Читать онлайн Аннотация

Изложена методика инженерного расчета геометрических размеров областей биполярного n - p - n-транзистора, изготовляемого по типовой планарно-эпитаксиальной технологии с одним скрытым слоем, с учетом заданных топологических проектных норм и величин технологического растрава и допуска на совмещение фотошаблона при контактной фотолитографии.
Для студентов 5-го курса специальности "Проектирование и технология производства электронно-вычислительных средств".

УДК

621.382.33 Биполярные транзисторы (использующие оба типа носителей)

Предметные рубрики

• Транзисторы - Учебное проектирование

Авторы МГТУ

• Макарчук Владимир Васильевич

Общее кол-во в фондах

12 экз.

1. Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
2. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
3. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
4. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
5. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313