Подробное описание документа

Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П.
   Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками / Басс Ф. Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П. - М. : Наука, 1989. - 286 с. : граф. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 281-286. - ISBN 5-02-014021-X.

Благодаря достижениям полупроводниковой технологии в настоящее время возможно создание многослойных периодических структур. Важным классом последних являются полупроводники со сверхрешётками, обладающие уникальными свойствами и поэтому весьма перспективные в плане практических приложений.
С единых позиций исследуются электромагнитные свойства полупроводников со сверхрешётками, находящихся во внешних полях. Рассматриваются линейные и нелинейные волны, а также их взаимодействие. Предсказан ряд новых эффектов.
Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся вопросами физики полупроводников, физики плазмы и твердотельной электроники, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.