Подробное описание документа

Агаханян Т. М.
   Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Агаханян Т. М. - 1989. - 252 с.

Аннотация

Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного ’’Защёлкивания”, радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов.
Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры в области ядерного приборостроения, космической техники и связи.

УДК

621.3.049.77 Микроэлектроника. Интегральные схемы

Предметная рубрика

• Интегральные схемы - Влияние ионизирующих излучений

Общее кол-во в фондах

4 экз.

Заказать на абонемент

Заказать в читальный зал

Заявка на закупку

1. Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313