Подробное описание документа

   Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. - 1988. - 255 с.

Аннотация

Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик—полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся разработкой и применением высокостабильных интегральных микросхем.

УДК

621.3.049.77 Микроэлектроника. Интегральные схемы

Предметная рубрика

• Интегральные схемы - Влияние ионизирующих излучений

Общее кол-во в фондах

3 экз.

Заказать на абонемент

Заказать в читальный зал

Заявка на закупку

1. Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313