Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Мощные транзисторные устройства повышенной частоты / Алексанян А. А., Бальян Р. Х., Сиверс М. А. [и др.]. - Л. : Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1989. - 174 с. : рис. - Библиогр.: с. 171-173. - ISBN 5-283-04411-4.

Изложены основы теории и методы проектирования мощных ключевых транзисторных устройств. Исследуются влияние инерционных свойств транзисторов, нелинейного характера нагрузки, параметров фильтрующих цепей на энергетические и качественные характеристики устройств, спектральный состав сигналов. Рассмотрены устройства с адаптивной широтно-импульсной модуляцией, широкополосные усилители, работающие в режимах, дуальных классу В, особенности применения мощных полевых транзисторов.
Для инженерно-технических работников, занимающихся вопросами преобразовательной техники и усилительными устройствами.

621.382.3 Полупроводниковые триоды (транзисторы)
3 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
  1. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
  2. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313