Подробное описание документа
Пыхтунова А. И.
Активные полупроводниковые приборы на основе алмаза / Пыхтунова А. И., Шарапежникова Н. И. - [М.] : [Пульсар], 2007. - 91 с. : ил. - Библиогр.:
Обзор посвящен актуальной теме проблематике создания активных полупроводниковых приборов на основе широкозонного полупроводникового материала - алмаза. Обзор содержит 6 разделов, 91 страницы текста, 18 таблиц, 115 иллюстраций и графиков. Список цитируемой литературы составляет 127 наименований. В первом разделе приведены основные параметры природного и синтетического алмазов и его эпитаксиальных пленок. В разделе 1.2 рассмотрены технологические методы получения алмазных пленок, а также методы легирования алмазов и различные способы получения омических контактов к ним. Второй раздел посвящен работам по созданию на основе алмазов различных диодных структур: с р-n переходом, диодов Шоттки, лавинно-пролетных и светодиодов. В третьем разделе приводятся данные по транзисторам на основе алмазов: биполярным, МДП полевым, полевым с затвором Шоттки. Рассмотрены соответствующие конструкции и достигнутый уровень по характеристикам. Четвертый раздел посвящен устройствам на ПАВ с применением структур на основе алмаза. В пятом разделе рассмотрены различные детекторы и Ф ПУ на основе алмаза, а именно: детекторы ионизирующего излечения, фотодетекторы и фотоприемники. В последнем разделе рассмотрены материалы по полевым эмиттерам для холодных катодов на алмазах и карбоновых нанотрубках. В заключении сделан вьшод о том, что, несмотря на значительные трудности, связанные с разработкой электронных приборов на основе алмаза, уже в настоящее время в этом направлении достигнуты значительные успехи, в том числе благодаря тесному международному сотрудничеству в эrот отрасли. Следует отметить, что рецензируемая работа, благодаря актуальности тематики и широкому кругу затронутых в ней вопросов, представляет несомненный интерес для специалистов и студентов, специализирующихся в области твердотельной электроники и микроэлектроники. К недостаткам работы можно отнести ряд оформительских погрешностей в частности это касается низкого качества отдельных иллюстраций, а также отсутствию в обзоре материалов по созданию приборов, в которых алмазы используются в качестве подложек для осаждения на них других полупроводниковых материалов.
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника1 экз.![]()
- Преподавательский абонемент ауд.221л, УЛК, ауд. 221л
- Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
