Подробное описание документа

Статья

Электрооптические характеристики светоизлучающего диода с периодически структурированным контактом / Барабаненков М. Ю., Ковальчук А. В., Полушкин Е. А., Сироткин В. В., Холопова Ю. В., Шаповал С. Ю. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/hidden/198.html (дата обращения: 11.03.2026) // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2009. - № 2. - С. 48-56.

Читать онлайн

Скачать документ

Полнотекстовый документ

vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/hidden/198.html

https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/…

Аннотация

Приведены результаты измерений электрических и оптических характеристик для InGaN/AlGaN/GaN/Al2O3 светодиода с периодически структурированным p-контактом. Показано, что применение такого контакта увеличивает КПД светодиода как минимум на 8%, позволяет получить плоский фронт и изменять значение критического угла для выводимого излучения за счeт приложенного к электроду-решетке напряжения. Показано, что применение дифракционной решетки в качестве p-контакта изменяет вольт-фарадную характеристику и значительно уменьшает значение высокочастотной емкости.

УДК
621.315.592 Полупроводники

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 48-56

Журнал

Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - ISSN 1812-3368 (print). - ISSN 2686-8768 (web).
№ 2. - 2009.

подробнее