Подробное описание документа

Статья

Абрамов И. И., Гончаренко И. А., Коломейцева Н. В.
Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / Абрамов И. И., Гончаренко И. А., Коломейцева Н. В. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 3. - С. 10-13.

УДК
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 10-13

Журнал

Нано- и микросистемная техника.
№ 3. - 2009.

подробнее