Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

Берлин Е. В., Сейдман Л.
   Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии / Берлин Е. В., Сейдман Л. - М. : Техносфера, 2010. - 527 с. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-94836-222-9.

Университетская библиотека онлайн

Настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по основным вакуумным плазмохимическим процессам в тонкопленочной технологии - реактивному магнетронному нанесению тонких пленок и ионно-плазменному травлению. В ней обобщено современное состояние этих процессов.
Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок и плазмохимических установок для травления тонких пленок. Рассмотрены технологические особенности их использования. Описаны способы управления процессами реактивного нанесения тонких пленок и использования среднечастотных импульсных источников питания. Показаны технологические особенности получения тонких пленок тройных химических соединений методом реактивного магнетронного сораспыления. Описана структура получаемых пленок и ее зависимость от параметров процесс а нанесения. Приведены принципы конструирования источника высокочастотного разряда высокой плотности для ионного или плазмохимического прецизионного травления тонких пленок,а также его использования для стимулированного плазмой осаждения тонких пленок. Книга рассчитана на специалистов,занимающихся исследованием, разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и нанотехнологии, совершенствованием технологии их производства и изготовлением специализированного оборудования. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.

539.23 Получение тонких слоев, тонких пленок
2 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
  1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
  2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
  3. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
  4. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313