Подробное описание документа

Красников Г. Я.
   Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Красников Г. Я. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 799 с. : ил. - (Мир электроники). - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-94836-289-2.

Аннотация

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

УДК

621.382.323 Полевые транзисторы(управляемые внешними полями)

Предметные рубрики

• МОП - Структуры

Общее кол-во в фондах

3 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
4. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313