Личный кабинет
Подробное описание документа
Ковалев А. Н.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / Ковалев А. Н. ; Министерство образования и науки РФ, Национальный исслед. технол. ун-т "МИСиС". - М. : Издат. Дом МИСиС, 2011. - 363 с. : ил. - Библиогр.:
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и А в третьей степениВ в пятой степени. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3 ... 1,5 мкм.
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
621.382.33 Биполярные транзисторы (использующие оба типа носителей)1 экз.
- Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
