Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

Стребков Д. С.
   Матричные солнечные элементы : [монография] : в 3 т. / Стребков Д. С. ; Рос. акад. сельскохозяйственных наук, Всерос. научно-исслед. ин-т электрификации сельского хозяйства. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : ГНУ ВИЭСХ, 2010.
   Т. 2. - 2010. - 266 с. : ил. - Библиогр.: с. 245-265. - ISBN 978-5-85941-399-7.

Монография является вторым томом трехтомного издания "Матричные солнечные элементы". Второй том отражает результаты исследований и разработок автора в области твердотельных кремниевых матриц, выполненные в 1972-1987 гг. Рассмотрены методы расчета многопереходных матричных солнечных элементов (МСЭ), их конструктивные особенности, методы изготовления, экспериментальные характеристики и области использования.
В процессе выполнения технологических и экспериментальных исследова­ний МСЭ был обнаружен ряд новых физических эффектов и получены предельные параметры МСЭ, недостижимые для планарных солнечных элементов.
В процессе исследований технологии импульсной термоградиенктной све­товой диффузии для создания мноroпереходных МСЭ обнаружены «исчезающие барьеры» в кремнии и связанное с ними явление нестабильности фотоэффекта в МСЭ.
Показана возможность управления спектральной характеристикой с по­мощью внешнего электрического поля за счет создания индуцированных барьеров в матричных солнечных элементах. Экспериментально подтверждено свойство ли­нейности тока короткого замыкания и мощности МСЭ в диапазоне освещенностей, ограниченных сверху не внутренним сопротивлением, а термическим разрушением поверхности МСЭ в результате воздействия сверхвысоких концентраций светового излучения при предельной электрической мощности 3,6 квт/см2• Показано, что в условиях сильного освещения температурный коэффициент напряжения уменьша­ется в два раза до 1,1 мВ/град., а предельная рабочая температура, при которой фото-э.д.с. обращается в нуль, превышает 1000 градусов К. При температуре 770К получена предельная фото-э.д.с. 1,06 В на микроэлемент при плотности напряжения 10 в/см2 по сравнению с 0,6-0,8 В для планарных СЭ. Проведены исследования МСЭ из германия, арсенида галлия и карбида кремния.
Может быть использована как учебное пособие для студентов и аспиран­тов по специальности «Фотоэлектрические полупроводниковые приборы», «Энер­гоустановки на основе возобновляемых источников энергии», а также будет полез­на для инженеров и научных работников, занимающихся исследованиями и разра­боткой полупроводниковых приборов, фотоприемников и солнечных элементов. Книга представляет интерес для читателей, интересующихся состоянием и пробле­мами развития фотоэлектрического метода преобразования солнечной энергии.

621.383.51 Фотогальванические элементы, солнечные элементы и батареи (вентильные элементы, панели)
1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
  1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
  2. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л