Подробное описание документа

Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах : [монография] / РАН. СО, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева, Ин-т катализа им. Г. К. Борескова, Ин-т автоматики электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В. С. Соболева. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2011. - 157 с. : ил. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 31). - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-7692-1183-6.

Аннотация

Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостъю в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики АI2Оз, НfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (НfO2) x(АI2ОЗ)1-х. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiО2, оксинитрида SiOxNy и нитрида SiзN4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.

УДК
537.226 Электрические свойства диэлектриков. Проницаемость. Диэлектрическая прочность. Сегнетоэлектричество

Предметные рубрики

Диэлектрики

Общее кол-во в фондах
4 экз.

Заказать на абонемент

Заказать в читальный зал

Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов

Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313