Подробное описание документа
                   Статья
            
        
            Гудков А. Г.
   Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. - 
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
