Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. - С. 42-44.

621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 42-44
   Журнал
   Машиностроитель.
   № 1. - 2014.