Подробное описание документа

Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне / Вонг Б. П., Миттал А., Цао Ю., Старр Г. ; пер. с англ. Юдинцев К. В. ; ред. пер. Шелепин Н. А. - М. : Техносфера, 2014. - 431 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.: с. 12-13, в конце глав. - ISBN 978-5-94836-377-6.

Аннотация

Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.
Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.

УДК
621.3.049.77 Микроэлектроника. Интегральные схемы

Предметные рубрики

Интегральные схемы большие - Проектирование

Общее кол-во в фондах
3 экз.

Заказать на абонемент

Заказать в читальный зал

Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов

Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313