Подробное описание документа

Джафаров Т. Д.
   Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах : монография / Джафаров Т. Д. ; АН СССР, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л. : Наука, 1978. - 206 с. : ил. - Библиогр. в конце гл.

Аннотация

В монографии излагаются физические основы процессов диффузии и дефектообразования в полупроводниковых эпитаксиальных гетеро- и гомоструктурах. Рассматриваются особенности диффузионного легирования эпитаксиальных структур, связанные с взаимодействием примесных атомов с дефектами кристаллической решетки, полями упругих напряжений и контактными электрическими полями. Приведен математический анализ диффузионной задачи применительно к эпитаксиальным структурам. Систематизированы и обобщены результаты экспериментальных исследований дефектообразования и диффузии примесей в эпитаксиальных гетеро- и гомоструктурах на основе германия, кремния, полупроводниковых соединений А в третьей степени В в пятой степени и их твердых растворов, а также соединений А во второй степени В в шестой степени. Описаны методы исследования концентрационных профилей примесей в таких структурах. Рассмотрена роль процессов образования дефектов, миграции и взаимодействия примесей и дефектов в явлении деградации инжекционных приборов (светодиодов и гетеро-лaзеров) на основе эпитаксиальных структур. Обсуждаются результаты экспериментальных работ по этому вопросу.

УДК

537.311.322:548.4

Предметные рубрики

• Полупроводники - Дефекты
• Полупроводники - Диффузия

Общее кол-во в фондах

2 экз.

1. Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
3. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313