Подробное описание документа

Пащенко А. С., Пляка П. С., Понмаренко В. О.
   Ионно-плазменные технологии в микро- и наноэлектронике : [монография] / Пащенко А. С., Пляка П. С., Понмаренко В. О. ; РАН. - Ростов-на-Дону : Изд-во ЮНЦ РАН, 2013. - 175 с. : ил. - Библиогр.: с. 168-175. - ISBN 978-5-4358-0057-9.

Аннотация

Монография является результатом исследований проводимых в ЮНЦ РАН в области ионно-плазменных технологий напыления тонких пленок. Детально рассмотрены методы нонно-лучевой кристаллизации и напыления в емкостном высокочастотном разряде в среде кислорода повышенного давления. Теоретически и экспериментально исследована зависимость процесса ионно-лучевой кристаллизации Si от параметров конфигурации системы «источник ионов - мишень - подложка». Экспериментально показана возможность формирования ионно-лучевой кристаллизацией фотоактивных гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками. Исследован начальный этап газоразрядного напыления пленок на монокристаллические подложки. Обнаружена структурная модификация поверхностного слоя подложек на начальном этапе напыления пленок. Выполнены комплексные экспериментальные исследования электрических и оптических характеристик емкостного высокочастотного разряда в кислороде в процессе распыления мишени сложного оксида ВiFеОз. Предложен и экспериментально обоснован механизм формирования осевого распределения свечения атомов металлов вблизи подложки. Проведены исследования распыления сложного оксида в импульсном режиме.
Издание адресовано специалистам, работающим в области ионно-плазменных технологий напыления тонких пленок, а также студентам и аспирантам, специализирующимся по этому направлению.

УДК

539.23 Получение тонких слоев, тонких пленок

Предметные рубрики

• Пленки - Получение - Применение вакуума

Общее кол-во в фондах

1 экз.

1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
2. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л