Подробное описание документа

   Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники : [монография] / Кузнецов Ф. А., Воронков М. Г., Борисов В. О. [и др.] ; Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева, Иркутский ин-т химии им. А. Е. Фаворского, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. : ил. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Библиогр.: с. 156-171. - ISBN 978-5-7692-1272-7.

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (1ow-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе НfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики) ..
Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.