Личный кабинет
Подробное описание документа
Вьюгинов В. Н.
К вопросу влияния температуры на однородность удельного сопротивления подложек карбида кремния / Вьюгинов В. Н., Гудков А. Г., Шашурин В. Д. - DOI 10.18698/0536-1044-2016-6-90-95 // Известия ВУЗов. Сер. "Машиностроение". - 2016. - № 6. -
Скачать документ
Исследованы подложки карбида кремния политипа 6Н-SiC диаметром 76 мм, изготовленные из монокристалла, выращенного с добавлением ванадия в качестве компенсирующей примеси. Рассмотрены методы измерения удельного сопротивления полуизолирующих подложек 6Н-SiC в диапазоне 10 5 …10 12 Омхсм. Приведены типичные карты распределения удельного сопротивления в этих подложках до термообработки и после нее. Установлено улучшение однородности распределения удельного сопротивления по подложке после отжига при температуре 1 050 °С в инертной среде, а также стабильность этого параметра во времени. Результаты проведенного исследования показали возможность применения полученного полуизолирующего материала в качестве подложечного для производства СВЧ-транзисторов с двумерным каналом AlGaN/GaN.
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 6. - 2016.
