Подробное описание документа
Журнал
Письма в "Журнал технической физики". -
Т. 42, № 21. - 2016.
1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
Содержание
с. 39-46
Статья
Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом / Емцев В. В., Заварин Е. Е., Козловский М. А., Кудояров М. Ф., Лундин В. В., Оганесян Г. А., Петров В. Н., Полоскин Д. С., Сахаров А. В., Трошков С. И., Шмидт Н. М., Вьюгинов В. Н., Зыбин А. А., Парнес Я. М., Видякин С. И., Гудков А. Г., Черняков А. Е., Козловский В. В.