Подробное описание документа

Ковалев А. Н., Рабинович А. Н., Мурашев В. Н.
   Наноэлектроника: основные материалы, методы выращивания и приборы : [монография] / Ковалев А. Н., Рабинович А. Н., Мурашев В. Н. ; общ. ред. Рабинович А. Н. - М. : б.и., 2015. - 254 с. : ил. - Библиогр.: с. 250-254. - ISBN 978-5-9906725-5-0.

Данная монография содержит всестороннее изложение базовых элементов физики полупроводников, объемное изложение и анализ современных технологий выращивания полупроводниковых материалов, учитывающих квантово-размерные эффекты (метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и газофазная эпитаксия из металлорганических соединений (МОС-гидридный метод), метод Фольмера-Вебера-Странского, Бартона-Кабреры-Ван дер Мерве).
Рассмотрены современные многокомпонентные наногетероструктуры, в т.ч. нитридные, фосфидные и арсенидные материалы.
Представлен и аналитически проанализирован широкий спектр приборов опто- и наноэлектроники на основе данных материалов. Проанализированы рабочие характеристики всех видов транзисторов, фотодиодов, солнечных элементов, твердотельных и органических светоизлучающих диодов и лазеров, механизмы их деградации.
Дан исторический обзор этапов развития транзисторов, твердотельных и органических светоизлучающих диодов и лазеров, приведены области их применения.
Книга предтавляет интерес для широкого круга читателей: научных работников, исследователей, аспирантов, студентов, специализирующихся в опто- и наноэлектронике, технологии полупроводниковых материалов и приборов на их основе.