Подробное описание документа

   Электронная промышленность : науч.- техн. сб. - М. : Изд-во Института "Электроника", 1970. - ISSN 0207-6357.
   Вып. 5(173). - 1988. - 63 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

° Переход к субмикринным размерам в микроэлектронике требует разработки принципиально новых технологических методов. К их числу относится импульсный ИК-нагрев, который применяется вместо традиционного термического. В условиях импульсного ИК-нагрева излучением галогенных ламп накаливания с использованием стекловидных источников диффузантов бора и фосфора могут быть сформированы области с низкими значениями (10...20 Ом/квадрат) поверхностного сопротивления и глубиной залегания р-n-перехода от 0,1 до 1 мкм.
° Импульсный отжиг излучением галогенных ламп в интервале температур 11ОО...12ОО°С обеспечивает снижение в 2...3 раза механических напряжений в эпитаксиальных кремниевых структурах и улучшение кристаллического совершенства приповерхностных слоёв.
° Метод объемной фотодефлекционной спектроскопии позволяет осуществить в одной установке бесконтактное измерение практически всех важных параметров полупроводникового материала, обеспечивая высокие чувствительность и пространственное разрешение.
° Использование борофосфоросиликатного стекла для межслойной изоляции в многоуровневых ИС позволяет проводить низкотемпературную планаризацию их рельефа путём оплавления стекла при температурах 75О...95О°С. Предложено уравнение, с помощью которого можно оценить степень планаризации при оплавлении слоёв борофосфоросиликатного стекла, исключив трудоёмкие и дорогостоящие операции по оптимизации оплавления рельефа ИС.
° На основе гидрогенизированного аморфного кремния разработана матрица тонкопленочных полевых транзисторов, обеспечивающая функцию адресации и управления элементами жидкокристаллического экрана.
° Применение двухцветных тонкоплёночных электролюминесцентных матричных экранов в плоских безвакуумных дисплеях портативных персональных ЭВМ позволяет значительно расширить их функциональные возможности по сравнению с аналогичными дисплеями на основе монохромных электролюминесцентных матричных экранов.
° Разработано быстродействующее ОЗУ К1500РУ0470А емкостью 4 К для применения в ЭВМ различных классов, измерительных комплексах и других устройствах вычислительной техники.