Подробное описание документа

   Электронная промышленность : науч.- техн. сб. - М. : Изд-во Института "Электроника", 1970. - ISSN 0207-6357.
   Вып. 4(172). - 1988. - 96 с. : ил. - Библиогр. в конце ст.

О В производстве СБИС определяющими при увеличении степени интеграции являются литографические методы. В ближайшее время в серийном производстве БИС будет использоваться фотолитография, для повышения эффективности которой необходимо увеличивать прецизионность и снижать уровень вносимой дефектности.
О Для решения проблем формирования элементов с субмикронными размерами может быть эффективно использован метод локальной модификации поверхности плёнок резистов, который обеспечивает субмикронное разрешение, нечувствителен к наличию рельефа на подложке и характеризуется высокими защитными свойствами при последующем травлении.
О Для технологии СБИС разрабатываются комплексы программных средств, применение которых позволяет моделировать и исследовать эволюцию рельефов покрывающих плёнок и материалов подложки в процессе литографии, осаждения, травления и других операций.
О В сборочных процессах производства ИЭТ все более широкое применение находит электронно-лучевая сварка профильным пучком, которая перспективна для получения сварных соединений, расположенных вблизи спаев металла с изолятором, для соединения разнородных металлов методом "сварка-пайка", а также для использования вместо пайки припоями, содержащими драгоценные и дефицитные материалы. Для герметизации миниатюрных приборов используется лазерная сварка, исключающая перегрев кристалла и изменение электрических параметров.
О Особую актуальность в последнее время приобрел поиск новых методов контроля полупроводниковых пластин и структур. Разработан универсальный лазерный сканирующий микроскоп "Гибрид-506", предназначенный для неразрушающего контроля и исследования электрической активности структурных дефектов полупроводниковых пластин. Совершенствование технологической обработки пластин и контроль качества эпитаксиальных структур возможны с помощью метода интегрального оптического рассеяния. С использованием эффектов капиллярности второго рода создано устройство оперативного контроля полноты вскрытия и чистоты поверхности контактных окон структур ИС, в котором в качестве индикатора используются пары воды.
О В технологические процессы изготовления ИЭТ широко внедряются методы масс-спектрометрического контроля. В установках вторично-ионной масс-спектрометрии и спектроскопии ионного рассеяния используется масс-сепаратор ионных пучков на основе фильтра Вина. Разработан коммутируемый многоканальный квадрупольный масс-спектрометр, позволяющий контролировать состав остаточной среды в 5...10-ти установках вакуумного напыления, удалённых от основной части масс-спектрометра на расстояние до 20 м.
О Разработана комплексная система проектирования и изготовления фотошаблонов твердотельных ФЭП, эффективность которых повышена за счёт исключения этапов преобразования топологической информации из одного вида в другой и благодаря созданию оптимальных по быстродействию и производительности маршрутов.
О Новые изделия электронной техники представлены в номере фото- матричным ассоциативным ЗУ, относящимся к многофункциональным устройствам, существенно повышающим скорость обработки информации; сверхбыстродействующими АЦП Ф4226, ФК4224, ФК4225 с временами преобразования 0,06, 1,5, 0,25 мкс; 12-разрядным АЦП; диодами — германиевыми туннельными с быстродействием 13...15 пс и оптоэлектронными для ВОЛС. Рассмотрены схемотехнические особенности И2Л второго поколения с быстродействием более 10 МГц.