Подробное описание документа

   Статья

   Увеличение стойкости GaN HEMT к возникновению повышенной температуры / Видякин С. И., Вьюгинов В. Н., Тихомиров В. Г., Добров В. А., Шашурин В. Д., Чижиков С. В. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2017. - Т. 9, № 2. - С. 19-21.

УДК

621.382.323 Полевые транзисторы(управляемые внешними полями)

Авторы МГТУ

• Видякин Святослав Игоревич
• Шашурин Василий Дмитриевич
• Чижиков Сергей Владимирович

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 19-21

   Журнал

   Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век.
   Т. 9, № 2. - 2017.

подробнее