Подробное описание документа
Статья
Увеличение стойкости GaN HEMT к возникновению повышенной температуры / Видякин С. И., Вьюгинов В. Н., Тихомиров В. Г., Добров В. А., Шашурин В. Д., Чижиков С. В. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2017. - Т. 9, № 2. -
621.382.323 Полевые транзисторы(управляемые внешними полями)
Статья опубликована в следующих изданиях
с. 19-21
Журнал
Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век.
Т. 9, № 2. - 2017.
Т. 9, № 2. - 2017.