Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs / Прудаев И. А., Верхолетов М. Г., Королева А. Д., Толбанов О. П.
Используя сайт Библиотеки МГТУ им. Н. Э. Баумана,
Вы соглашаетесь с использованием технических файлов (cookie) и сервисов сбора и анализа статистики посещений
для обеспечения работоспособности сайта и улучшения качества обслуживания.
Подробнее о технических файлах (cookie).