Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

Видякин С. И.
   Увелечение стабильности вольт-амперной характеристики НЕМТ GaN-транзистора при воздействии ионизирующего излучения / Видякин С. И. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2018. - Т. 10, № 3. - С. 37-40.

621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 37-40
   Журнал
   Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век.
   Т. 10, № 3. - 2018.