Подробное описание документа
Статья
Видякин С. И.
Увелечение стабильности вольт-амперной характеристики НЕМТ GaN-транзистора при воздействии ионизирующего излучения / Видякин С. И. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век. - 2018. - Т. 10, № 3. -
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
Статья опубликована в следующих изданиях
с. 37-40
Журнал
Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век.
Т. 10, № 3. - 2018.
Т. 10, № 3. - 2018.