Подробное описание документа
Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах A3B5 : [сборник] / РАН, Ин-т сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова ; общ. ред. Мальцев П. П. - М. : Техносфера, 2018. - 527 с. : ил. - Библиогр.
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова" Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований Haнoгeтepocтpyктyp А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств.
Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России" на 2007-2013 годы и на 2014 -2020 годы.
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника1 экз.![]()
- Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л