Личный кабинет
Подробное описание документа
Акчурин Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. - М. : Техносфера, 2018. - 487 с. : ил. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр.
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
621.793 Нанесение металлических и неметаллических покрытий. Металлизация. Нанесение проводниковых, полупроводниковых, резистивных, диэлектрических, магнитных покрытий и пленок из них1 экз.
- Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
- Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
Похожие издания
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. - Техносфера, 2018. -
Читать онлайн
