Подробное описание документа
Журнал
Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХ1 век.
Т. 12, № 4. - 2020.
1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
Содержание
с. 5-19
Статья
Горлачева Е. Н., Гончарова Н. П.
Обзор интеллектуальных методов управления инновационными научно-техническими проектами / Горлачева Е. Н., Гончарова Н. П.
Обзор интеллектуальных методов управления инновационными научно-техническими проектами / Горлачева Е. Н., Гончарова Н. П.
с. 40-53
Статья
Чижиков С. В., Тихомиров В. Г., Гудков Г. А.
Исследование влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии / Чижиков С. В., Тихомиров В. Г., Гудков Г. А.
Исследование влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии / Чижиков С. В., Тихомиров В. Г., Гудков Г. А.
с. 54-62
Статья
Ветрова Н. А., Филяев А. А., Шашурин В. Д.
Моделирование прозрачности низкоразмерного канала с квантовым ограничением в полупроводниковых приборах на 2D-структурах с поперечным токопереносом / Ветрова Н. А., Филяев А. А., Шашурин В. Д.
Моделирование прозрачности низкоразмерного канала с квантовым ограничением в полупроводниковых приборах на 2D-структурах с поперечным токопереносом / Ветрова Н. А., Филяев А. А., Шашурин В. Д.