Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

Филиппов И. А., Великовский Л. Э., Шахнов В. А.
   Плазмохимическое травление тонких пленок серебра для приложений плазмоники индуктивно-связанной аргоновой плазмой / Филиппов И. А., Великовский Л. Э., Шахнов В. А. - DOI 10.18698/0236-3933-2020-4-165-180 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2020. - № 4. - С. 165-180.

Скачать документ
Полнотекстовый документ
DOI 10.18698/0236-3933-2020-4-165-180
vestnikprib.bmstu.ru/catalog/iemimis/vacuumplel/1211.html

Рассмотрены процессы плазмохимического травления пленок серебра для изготовления элементов фотоники (наноразмерных источников света), а также теоретические основы процессов травления и процесс образования плазмы в установках плазмохимического травления. Выполнена оценка предлагаемой технологии при формировании топологических элементов в тонких пленках металла серебра и выделены ключевые проблемы, такие как переосаждение и нелетучесть материала. Приведены результаты моделирования процесса травления для нескольких критических субмикронных размеров. На основе результатов моделирования определены зависимости скоростей травления от мощности источников плазмы. Основное внимание уделено формированию отверстий для создания наноразмерного источника света. Рассмотрены как положительные, так и отрицательные свойства плазмохимического метода травления с использованием источника индуктивно-связанной плазмы, а также изложены особенности технологических установок, использующихся для этих процессов. Рассмотрен процесс формирования наноэлементов в пленке серебра и эффект переосаждения частиц материала в результате ионного распыления. Предложен двухэтапный процесс травления, позволяющий сформировать вертикальный профиль стенок изготовляемых элементов и избежать эффекта переосаждения. Приведены рекомендации для процессов травления через электронно-лучевой резист на установках с источником индуктивно-связанной плазмы. С помощью оптимизации толщин резистивной маски и источников плазмы показаны полученные результаты травления наноразмерных элементов с сохранением геометрических форм

621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 165-180
   Журнал
   Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - ISSN 0236-3933 (print). - ISSN 2687-0614 (web).
   № 4. - 2020.