Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

Бычков А. А.
   Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография / Бычков А. А. - М. : РУСАЙНС, 2022. - 97 с. : ил. - Библиогр.: с. 92-98. - ISBN 978-5-4365-9630-3.

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.
Монография подготовлена в Южном федеральном университете.
Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
Ключевые слова: германий, тонкая пленка, гетероэпитаксия, SiGe, дислокации несоответствия, плотность упругой энергии.

621.38-022.532 Наноэлектроника
2 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
  1. Преподавательский абонемент ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
  2. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
  3. Читальный зал ауд.305л, УЛК, ауд. 305л
  4. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313