Подробное описание документа

Бычков А. А.
   Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография / Бычков А. А. - М. : РУСАЙНС, 2022. - 97 с. : ил. - Библиогр.: с. 92-98. - ISBN 978-5-4365-9630-3.

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.
Монография подготовлена в Южном федеральном университете.
Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
Ключевые слова: германий, тонкая пленка, гетероэпитаксия, SiGe, дислокации несоответствия, плотность упругой энергии.