Подробное описание документа

Двухшерстнова Я. В., Андреев В. В.
   Особенности формирования p–n–p-транзисторов с двумя скрытыми слоями / Двухшерстнова Я. В., Андреев В. В. // Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе. : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 14-16 ноября 2023 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский ун-т). Калужский филиал. - 2024. - Т. 1 : Секции 1-11. - С. 81-84.

Предложена новая конструкция вертикального p–n–p-транзистора с двумя скрытыми слоями для биполярных интегральных микросхем. Технология получения этого транзистора адаптирована к технологии формирования n–p–n-транзистора. Показано, что использование разработанных транзисторов позволяет существенно улучшить характеристики аналоговых интегральных схем. Проведено совершенствование технологического процесса формирования, разработанного вертикально-го p–n–p-транзистора.
Ключевые слова: горизонтальный p–n–p-транзистор, вертикальный p-n-p транзистор, пробивное напряжение, скрытый слой

УДК

621.3.049.774.3 Биполярные монолитные (интегральные схемы0

Авторы МГТУ

• Андреев Владимир Викторович

Статья опубликована в следующих изданиях