Подробное описание документа
Руденко А. М.
Ионное травление в технологии формирования топологии изделий электроники / Руденко А. М., Купцов А. Д., Сидорова С. В. // Наукоемкие технологии в машиностроении : материалы 15-ой Международной научно- технической конференции, Москва, 1-3 ноября 2023 года : в 2 т. / Министерство науки и высшего образования РФ, МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский ун-т), Центральный аэрогидродинамический институт им. Н. Е. Жуковского, Институт машиноведения им. А. А. Благонравова Российской академии наук ; общ. ред. Лавриненко В. Ю. - 2024. - Т. 2. -
Показана необходимость и актуальность процесса формирования тонкопленочных слоев меди для изделий современной электронной промышленности. Представлены результаты экспериментальных исследований влияния тока ионного источника и времени травления на толщину тонких медных пленок при планарных технологиях. Получена регрессионная зависимость толщины стравленного слоя от тока ионного источника и времени травления.
538.971 Физика поверхностей и границ раздела (включая эмиссию и столкновение)
Статья опубликована в следующих изданиях
Т. 2. - 2024. - 376 с. : ил. - Библиогр.