Подробное описание документа

Тесленко А. А., Тарабрин М. К.
   Моделирование и создание просветляющих микроструктур для среднего и дальнего ИК-диапазонов на поверхности кристалла ZnSe = Modeling and Fabrication of Antireflection Microstructures on ZnSe for Mid- and Far- IR / Тесленко А. А., Тарабрин М. К. // Наука, технологии и бизнес : материалы 6-ой Межвузовской конференции аспирантов, соискателей и молодых учёных, Москва, 16-18 апреля 2024 года / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2024. - С. 446-452.

Большинство материалов инфракрасного (ИК) диапазона, используемых в высокомощных системах, таких как оптические параметрические генераторы, имеют высокие значения коэффициента преломления, что приводит к большим потерям на френелевское отражение. Применение обычных тонкопленочных диэлектрических покрытий ограничено при использовании в высокомощных и сверхширокополосных системах. Альтернативный подход заключается в создании просветляющих микроструктур, которые позволяют увеличить пропускание без снижения порога повреждения материала в широком спектральном диапазоне. В данной работе микроструктуры были созданы на поверхности кристалла ZnSe методом лазерной фемтосекундной абляции. Это позволило увеличить пропускание до 93,4 % в среднем и дальнем ИК диапазонах.
Most infrared materials used in high-power systems, such as optical parametric generators, have high values of refractive indices, which result in high Fresnel losses. The performance of conventional antireflection coatings is limited when used in high-power and ultra-broadband systems. An alternative approach is to fabricate antireflection microstructures (ARMs) that allow for a broadband increase in transmittance without reducing the damage threshold of the material. In this work, ARMs were fabricated on the surface of ZnSe crystals using the femtosecond laser ablation method. This allowed to increase the transmittance up to 93.4% in the mid- and far- infrared regions.