Подробное описание документа

Двухшерстнова Я. В., Андреев В. В.
   Влияние температуры на выход годных микросхемы четырехканального широкополосного усилителя / Двухшерстнова Я. В., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции (Калуга, 23 - 25 апреля 2024 года) : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. - С. 149-152.

С помощью компьютерного моделирования определен параметр p-n-p транзистора, оказывающий негативное влияние на работу широкополосного усилителя при критически низкой температуре. Установлено минимальное допустимое значение коэффициента усиления транзистора. Скорректирован технологический маршрут формирующих отжигов областей базы и эмиттера, обеспечивающий получение p–n–pтранзистора с коэффициентом усиления больше минимально допустимого значения.
Ключевые слова: широкополосный усилитель, p–n–p-транзистор, коэффициент усиления, формирующий отжиг эмиттера