Подробное описание документа

Статья

Перевозчикова Д. С., Андреев В. В.
Влияния прогиба кремниевой полупроводниковой пластины с диэлектрической изоляцией на качество фотолитографии / Перевозчикова Д. С., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции (Калуга, 23 - 25 апреля 2024 года) : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. - С. 153-156.

Аннотация

Рассмотрены особенности применения кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ) в технологии производства интегральных микросхем. Исследован процесс формирования КСДИ структур и причины отклонения получаемых полупроводниковых пластин от плоскостности. Произведена оценка влияния прогиба кремниевых пластин с диэлектрической изоляцией на качество выполнения фотолитографических процессов и возникновение погрешностей.
Ключевые слова: КСДИ структура, фотолитография, прогиб пластины, интегральная микросхема

УДК
621.3.049.774 Полупроводниковые интегральные схемы. Твердые схемы. Монолитные схемы

Авторы МГТУ

Андреев Владимир Викторович

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 153-156

Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции (Калуга, 23 - 25 апреля 2024 года) : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2025. - ISBN 978-5-7038-6513-2.
Т. 1. - 2025. - 436 с. : ил. - Библиогр. в конце статей. - ISBN 978-5-7038-6513-2.

подробнее