Подробное описание документа
Анализ кинетики электрических характеристик субгармонического смесителя СВЧ-радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода под действием эксплуатационных факторов / Черкасов К. В., Мешков С. А., Макеев М. О., Шашурин В. Д., Федоркова Н. В. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2025. - № 2. -
Исследован диодный субгармонический смеситель частот СВЧ-диапазона на второй гармонике гетеродина. В качестве нелинейного элемента применен AlGaAs резонансно-туннельный диод. Показано, что, используя резонансно-туннельный диод, можно повысить показатели назначения --- мощность однодецибельной компрессии, точку пересечения продуктов интермодуляции 3-го порядка, верхнюю границу рабочего диапазона частот --- по сравнению со смесителем частот на базе двух диодов с барьером Шоттки. Исследованы вероятностные характеристики и кинетика электрических параметров смесителя в результате действия технологических и эксплуатационных факторов для получения оценки гамма-процентного ресурса. В качестве технологических факторов рассмотрены конструкторско-технологические погрешности на этапах производства диода и смесителя, а также деградационные процессы в элементах конструкции диода, в качестве дестабилизирующего фактора эксплуатации --- высокая температура. Необратимые изменения электрических характеристик смесителя приведены как результат деградационных процессов, протекающих в многослойной полупроводниковой гетероструктуре диода, вследствие чего меняются форма его вольт-амперной характеристики и параметры смесителя. Построена кинетика вольт-амперной характеристики диода и электрических характеристик смесителя с учетом их технологического разброса. Получена оценка гамма-процентного ресурса смесителя для заданных условий эксплуатации. Даны рекомендации по повышению надежности смесителя посредством конструкторско-технологической оптимизации параметров конструкции диода и смесителя
Ключевые слова субгармонические смесители частот радиосигналов, надежность, обеспечение качества, резонансно-туннельный диод, постепенный отказ
621.382.233 Плоскостные диоды с несколькими p-n-переходами