Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана

Подробное описание документа

   Статья

   Микроструктурирование пьезоэлектрических пленок поливинилиденфторида с помощью импульсного лазерного излучения / Деримедведь Д. К., Лебедев Н. Р., Михалев П. А., Юсупов В. И., Мареев Е. И., Минаев Н. В. // Квантовая электроника. - 2024. - Т. 54, № 11. - С. 710-716.

Исследованы методы модификации и микроструктурирования пленок поливинилиденфторида (ПВДФ) с использованием наносекундных и фемтосекундных лазерных импульсов для формирования функциональных микроструктур на поверхности и в приповерхностном слое. Показано, что микроструктурирование с использованием фемтосекундных импульсов позволяет достигать высокого разрешения и минимального теплового воздействия на материал. Преимущество использования наносекундного излучения заключается в возможности быстрого микроструктурирования на больших площадях, что делает этот метод привлекательным для применения в промышленных масштабах, хотя при этом разрешение не достигает высоких значений. В ходе исследования найдены режимы, позволяющие формировать структуры в приповерхностном слое без повреждения поверхности пленки, а также создавать структуры с повышенным содержанием атомарного углерода. Результаты спектроскопии комбинационного рассеяния показали, что в областях сильного лазерного воздействия происходит значительное изменение конформационного состава пленок, включая уменьшение сегнетоактивных конформаций и переход в параэлектрическое состояние, что, в свою очередь, влияет на пьезоэлектрические свойства. Предложенные методы лазерной модификации пленки ПВДФ могут быть использованы для разработки новых микродатчиков, что открывает новые горизонты в области применения электроактивных материалов в различных высокотехнологичных отраслях.
Ключевые слова лазерное микроструктурирование, сегнетоэлектрические полимерные материалы, поливинилиденфторид, спектроскопия комбинационного рассеяния

691.175.5/.8 Полимерные материалы

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 710-716
   Журнал
   Квантовая электроника.
   Т. 54, № 11. - 2024.