Подробное описание документа

Статья

Перевозчикова Д. С., Андреев В. В.
Сравнительный анализ качества топологического рельефа кристалла микросхемы методами контактной и проекционной фотолитографии / Перевозчикова Д. С., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. - С. 80-82.

Аннотация

Проанализированы особенности проведения фотолитографических процессов методами контактной и проекционной фотолитографии. Исследован процесс создания топологического рельефа методами контактной и проекционной фотолитографии, выявлены преимущества и недостатки. Проведено сравнение методов контактной и проекционной фотолитографии в условиях производства интегральных микросхем.
Ключевые слова: фотолитография, проекционная фотолитография, контактная
фотолитография

УДК
621.3.049.774 Полупроводниковые интегральные схемы. Твердые схемы. Монолитные схемы

Авторы МГТУ

Андреев Владимир Викторович

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 80-82

Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2025. - ISBN 978-5-7038-6702-0.
Т. 1. - 2025. - 495 с. : ил. - Библиогр. в конце статей. - ISBN 978-5-7038-6704-4.

подробнее