Подробное описание документа

Радзышевская В. В., Андреев В. В.
   Влияние дефектов ионной имплантации на характеристики кристаллов микросхем / Радзышевская В. В., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. - С. 99-101.

Рассмотрен процесс ионной имплантации легирующей примеси и возникающие при этом дефекты в кремнии. Проанализировано влияние дефектов на работоспособность микросхем и рассмотрена возможность их контроля. Проанализированы дефекты различных типов, возникающие при ионном легировании. Изучены электрофизические параметры, зависящие от дефектов, появляющихся при проведении процесса имплантации ионов. Предложена методика подбора параметров процесса
ионного легирования для минимизации возникающих дефектов.
Ключевые слова: ионная имплантация, дефекты, электрофизические параметры